Il 31 dicembre 2024, secondo la China Electronic Materials Industry Association, Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd., una sussidiaria di China Electronics Technology Semiconductor Materials Co., Ltd., ha recentemente sviluppato con successo un substrato monocristallino in carburo di silicio semi-isolante ad alta purezza da 12 pollici (300 mm) e, contemporaneamente, ha sviluppato con successo un substrato monocristallino in carburo di silicio di tipo N da 12 pollici.

In termini di capacità di costruzione, il progetto Shuoke Crystal Silicon Carbide Phase II ha superato l'accettazione di completamento nell'ottobre 2024, segnando l'inizio ufficiale della produzione del progetto. Si prevede che il completamento del progetto Phase II porterà a Shuoke Crystal altri 200.000 substrati in carburo di silicio da 6-8 pollici all'anno, inclusi 200.000 substrati monocristallini in carburo di silicio di tipo N all'anno e 25.000 substrati ad alta purezza all'anno.

In termini di progresso da 8 pollici, Shuoke Crystal ha sviluppato cristalli di carburo di silicio da 8 pollici nell'agosto 2021 e poi, a gennaio 2022, Shuoke Crystal ha ottenuto una produzione su piccola scala di wafer di lucidatura in carburo di silicio di tipo N da 8 pollici. L'aumento delle dimensioni dei wafer significa che è possibile produrre più chip su ogni wafer, migliorando così l'efficienza produttiva. Non solo riduce il costo di produzione di un singolo chip, ma ottimizza anche il costo di produzione complessivo. Pertanto, i wafer di grandi dimensioni sono più efficienti dal punto di vista economico e offrono maggiori vantaggi competitivi ai produttori.

Attualmente, i wafer di grandi dimensioni sono diventati un obiettivo comune perseguito dai principali produttori. Oltre a Shuoke Crystal, Tianyue Advanced ha rilasciato un prodotto di substrato in carburo di silicio di tipo N da 12 pollici il 13 novembre 2024, segnando che l'industria del carburo di silicio è ufficialmente entrata nell'era dei substrati in carburo di silicio di dimensioni ultra-grandi. Sebbene il campo dei substrati in carburo di silicio si stia attualmente trasformando da 6 pollici a 8 pollici, la futura evoluzione a 12 pollici ha un'elevata visibilità.