Abbiamo lavorato con professionisti del settore professionale per esplorare le possibilità sconosciute dei materiali in carburo di silicio e lo sviluppo delle loro applicazioni. Di recente, il professor Xie della Tsinghua University, il professor Ru della Northeastern University e il dott. Wang e il dott. Tang dell'Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, hanno visitato la nostra azienda per cooperazione e scambio.

1. Sinergia tra mondo accademico e mondo industriale: collegare teoria e pratica

Il summit tecnico di tre giorni ospitato presso il nostro centro di ricerca e sviluppo ha facilitato discussioni approfondite sul superamento delle sfide di lunga data nella commercializzazione del carburo di silicio. Il professor Xie, un pioniere nei compositi a matrice ceramica, ha condiviso le ultime scoperte del suo team sull'ingegneria dei confini dei grani, un approccio rivoluzionario per migliorare la resistenza agli shock termici del carburo di silicio attraverso l'orientamento controllato dei cristalli. "Allineando i grani di β-carburo di silicio lungo la direzione cristallografica, " ha dimostrato attraverso la modellazione su scala atomica, "possiamo teoricamente aumentare la tenacità alla frattura del 40% senza compromettere la conduttività termica. "

A complemento di questo quadro teorico, il dott. Wang dell'IMR ha presentato dati sperimentali dai loro test di sinterizzazione a temperatura ultra elevata a 2.500 °C. Il loro processo brevettato di ricristallizzazione multistadio ha raggiunto livelli di densità senza precedenti (≥99,2% TD) riducendo al contempo il contenuto di silicio residuo a <0,3%, fondamentale per ridurre al minimo la deformazione ad alta temperatura nelle applicazioni dei semiconduttori. Il nostro team di produzione ha immediatamente prototipato questi parametri, osservando un miglioramento del 15% nella planarità della piastra di supporto del wafer durante i successivi test CVD.

Il contributo del professor Ru si è concentrato sulla scalabilità industriale, affrontando le barriere storiche dei costi della produzione di carburo di silicio ricristallizzato. Il modello di fluidodinamica computazionale (CFD) del suo team ha ottimizzato i nostri forni a diffusione di gas, riducendo il consumo di argon del 22% durante la fase critica di ricristallizzazione. Nel frattempo, le tecniche di modifica della superficie del dott. Tang che utilizzano l'incisione chimica potenziata al plasma hanno aumentato con successoRicristallizzato Carburo di siliciosoglia di resistenza all'ossidazione da 1.400°C a 1.550°C in atmosfere ossidanti, una svolta per i sistemi di protezione termica in ambito aerospaziale.

‌2. Superiorità tecnica delle piastre RSiC di nuova generazione‌

‌2.1 Rivoluzione nella gestione termica‌

La collaborazioneRicristallizzato Carburo di siliciole piastre raggiungono ora una conduttività termica di 110-120 W/m·K (3 volte superiore all'allumina), con un coefficiente di dilatazione termica (CTE) perfettamente bilanciato a 4,3×10⁻⁶/K. 

Siamo profondamente onorati che tutti gli esperti e i professori siano venuti alla nostra azienda per una guida. Sin dalla sua fondazione, la nostra azienda ha mantenuto stretti scambi e collaborazioni con molte università e istituti di ricerca.

Ci auguriamo che, grazie a maggiori scambi e collaborazioni, potremo continuare a svilupparci e innovarci, conducendo il settore all'eccellenza.